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试验所用的原料为2202工业硅，试验中先启机械泵，抽真空10pa后扩散泵将真空炉抽高真空，然后启动晶闸管中频电源，按一定的升温曲线逐步升高感应器工作电压，以避免因功率过大造成炉温突然急剧升高，导致短期内炉内大量放气而使得真空度显着下降。待工业硅熔化后用双比色红外测温仪测温，并在1773K保温30min，用机械手将熔融硅浇注到定向凝固坩埚内，利用保温炉侧向散热，通水强制冷却底模实现定向凝固。将硅锭沿纵截面切割，样品经研磨抛光后，用20%的NaOH溶液腐蚀20min，采用MEF-3高温金相显微镜观察显微组织，样品取样后使用Optima2000DV电感耦合等离子发射光谱仪进行纯度分析。

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整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外，整个炉内不存在排气不畅的地方，即不存在排气死角。有效地减小了炉内空间，便于迅速及时地将炉内的一氧化硅与氩气的混合气体排出，且利于减少热能和氩气的消耗量，使原有的引晶功率从65KW减到61KW，另外。还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明的直拉式单晶生长炉中，碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和部的排气口之间。氩气流量为30L/min。该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本。石墨具有强度高，抗热震性好，耐高温，抗氧化，电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。插入式结构，省略了固定式所必须的隔离器，到一机二用，提高了使用的经济性，同时给操作与维护带来了很大的方便，增加了安全性、可靠性。特别是抽屉座的主回路触座，可与NT型熔断路器触座通用。